X射线光电子能谱仪

生产厂家：

日本ULVAC-PHI,INC

设备型号：

PHI 5000 VersaProbe III

设备简介：

可在真空或惰性气体环境下从手套箱或其它设备中转移样品，送入分析室进行分析，保护样品表面在分析前不受环境气氛影响；通过使用X射线入射固体样品表面并采集从样品表面产生的光电子，提供表面的元素成分、元素化学状态信息。

样品要求：

1.粉末样品需200mg以上；

2.如为块体、薄膜则长、宽、高分别不要超过20mm、10mm、5mm。

主要技术指标：

1. 能量分辨率：Ag3d5/2峰位FWHM < 0.48eV；C1s谱中O=C-O峰位FWHM < 0.82eV； 

2. 最小x-ray 束斑：10.0μm（x轴）；10.0μm (y轴) ；

3. Ar离子溅射枪最大束流：>5.0μA @5kV；

4. Ar离子/C60离子溅射枪差分气压：< 6.7x10-6 Pa (5x10-8Torr)； 

5. Ar气团簇离子枪的最大电流：>40nA @ 20kV ；

6. Ar气团簇离子最小束斑：500 μm @ 20 kV；

7. 样品台的冷热性能：-140°C~500°C。 

服务范围：

无机化合物、合金、聚合物、能源电池、表面缺陷（腐蚀，异物，污染，分布不均等）、表面多层薄膜等。

样品转移：

可选真空转移系统